Les transistors au nitrure de gallium (GaN) ont profondément transformé les amplificateurs RF de puissance. On les retrouve aujourd’hui dans les radars, les télécommunications, les équipements satellites et, à une échelle plus modeste, dans nos amplificateurs radioamateurs.

Mais une limite demeure : la chaleur.

Le 22 septembre 2026, Qorvo a annoncé une avancée spectaculaire : une augmentation de plus de 400 % de la densité de puissance RF en bande X sur un transistor GaN développé dans le cadre du programme THREADS de la DARPA.

Pourquoi le GaN ?

Pendant longtemps, les amplificateurs RF ont principalement utilisé des transistors au silicium ou à l’arséniure de gallium (GaAs). Le GaN possède cependant plusieurs propriétés particulièrement intéressantes : tension de claquage élevée, fonctionnement à haute température … Lire la suite - Read more