Dans notre précédent voyage, nous avions laissé l’électronique enfermée dans une ampoule.
Une cathode chauffait.
Des électrons traversaient le vide.
Une grille contrôlait leur passage.
Et grâce à cette étonnante mécanique invisible, les tubes électroniques pouvaient détecter, amplifier et produire des signaux radio.
Mais les lampes avaient quelques défauts.
Elles étaient : volumineuses, fragiles, gourmandes en énergie, chaudes et réclamaient souvent : des tensions élevées.
Et si nous pouvions obtenir les mêmes fonctions sans filament, sans chauffage et sans vide ?
La solution allait venir d’un matériau qui semblait beaucoup moins spectaculaire : un cristal.
Voici comment les semi-conducteurs allaient transformer l’électronique… et notre radio.
1874 : un cristal se comporte bizarrement
Notre histoire commence bien avant le transistor.
En 1874, le physicien allemand Karl Ferdinand Braun étudie certains matériaux cristallins et observe un phénomène curieux.
Le courant ne les traverse pas de la même façon suivant le sens dans lequel on applique la tension.
Autrement dit, le cristal possède une propriété de : redressement.
À cette époque, personne ne dispose encore de la physique nécessaire pour expliquer correctement le phénomène.
L’électron lui-même ne sera identifié qu’en 1897.
Braun vient pourtant de mettre en évidence une propriété fondamentale qui conduira à l’électronique à semi-conducteurs.
Le cristal rencontre les ondes radio
À la fin du XIXᵉ siècle, les expériences sur les ondes électromagnétiques se multiplient.
Hertz les produit.
Branly les détecte.
Lodge, Popov, Marconi et d’autres cherchent à les utiliser pour communiquer.
Mais il faut toujours trouver de meilleurs moyens pour détecter ces minuscules signaux.
C’est là que certains cristaux vont devenir particulièrement intéressants.
Le physicien indien Jagadish Chandra Bose expérimente avec des détecteurs à cristal pour ses travaux sur les ondes millimétriques.
Puis, au début du XXᵉ siècle, les détecteurs à cristal se répandent dans les récepteurs radio.
L’un d’eux va devenir mythique : la galène.
La galène et sa moustache de chat
La galène est un minerai constitué principalement de : sulfure de plomb — PbS.
Pour réaliser un détecteur, on place une pointe métallique extrêmement fine contre la surface du cristal.
Cette pointe porte un nom délicieux : la moustache de chat — cat’s whisker.
Mais il ne suffit pas de toucher n’importe où.
L’opérateur déplace délicatement la pointe sur le cristal jusqu’à trouver : le bon endroit.
Le fameux sweet spot.
À cet emplacement, le contact possède une propriété redresseuse suffisante pour détecter le signal radio.
Pas de pile.
Absence de filament.
Pas de haute tension.
Le signal capté par l’antenne fournit lui-même l’énergie nécessaire à l’écoute au casque.
La radio à cristal est née.
Et le radioamateur utilisait déjà un semi-conducteur !
C’est ce qui rend cette histoire si intéressante.
Bien avant le transistor, les amateurs de TSF utilisaient déjà un composant dont le fonctionnement reposait sur les propriétés d’un semi-conducteur.
Ils ne parlaient pas encore : de trous, de bandes d’énergie, de dopage P ou N ou : de jonction P-N.
Mais le principe était déjà là.
Le cristal pouvait favoriser le passage du courant dans un sens.
Exactement ce que nous demanderons plus tard à : une diode.
Mais qu’est-ce qu’un semi-conducteur ?
Pour comprendre la suite, oublions quelques instants les équations.
Imaginons trois matériaux.
Dans un : conducteur, les charges électriques peuvent circuler relativement facilement.
Dans un : isolant, elles circulent très difficilement.
Et entre les deux se trouve une famille particulièrement intéressante : les semi-conducteurs.
Leur conductivité peut être profondément modifiée par : la température, et surtout : de minuscules quantités d’impuretés soigneusement choisies.
C’est cette dernière possibilité qui va changer le monde.
Germanium ou silicium ?
Deux éléments vont jouer un rôle essentiel dans cette histoire : le germanium et : le silicium.
Le germanium possède un avantage historique : il est relativement facile à exploiter dans les premiers composants.
Il jouera donc un rôle majeur dans les premières diodes et les premiers transistors.
Mais progressivement, le silicium va prendre l’avantage.
Pourquoi ?
Il supporte mieux les températures élevées, présente notamment des courants de fuite plus faibles et son oxyde naturel, le dioxyde de silicium, deviendra extraordinairement utile pour fabriquer les circuits intégrés.
Le silicium est également extrêmement abondant.
Mais pour transformer un morceau de silicium en composant électronique intéressant, il faut lui apporter quelque chose.
Ajoutons quelques atomes
Prenons du silicium très pur.
Ajoutons-lui une quantité minuscule d’un autre élément.
Cette opération s’appelle : le dopage.
Le mot pourrait laisser croire que nous ajoutons énormément de matière.
C’est exactement l’inverse.
Des concentrations extrêmement faibles suffisent à modifier profondément les propriétés électriques du cristal.
Selon l’élément ajouté, nous obtenons deux grandes familles.
Le type N
Dans un semi-conducteur de : type N, nous introduisons des atomes qui apportent des électrons disponibles pour la conduction.
Nous disposons donc d’un excès de porteurs négatifs.
D’où la lettre : N.
Le type P
Dans un semi-conducteur de : type P, la situation est différente.
Le dopage crée des places disponibles dans la structure électronique.
Nous représentons ces absences d’électrons comme des porteurs de charge positive appelés : trous.
Ils ne sont évidemment pas de petits trous physiques creusés dans le silicium !
C’est une manière très pratique de décrire le comportement collectif des électrons dans le cristal.
Nous avons donc : N → électrons majoritaires et : P → trous majoritaires.
Et maintenant… rapprochons les deux.
La jonction P-N
Lorsque nous réunissons une région P et une région N, les porteurs présents près de la frontière commencent à interagir.
Une zone particulière apparaît autour de cette frontière : la zone de déplétion.
Elle crée une barrière électrique.
Selon la polarité appliquée aux deux côtés, cette barrière peut : diminuer ou : augmenter.
Dans un sens, le courant peut circuler facilement.
Dans l’autre, il est fortement bloqué.
Nous venons de fabriquer : une diode à jonction.
Le vieux cristal à moustache de chat vient d’acquérir un descendant beaucoup plus fiable.
La diode : une porte à sens presque unique
Une manière simple de comprendre la diode consiste à l’imaginer comme : une porte électrique.
Polarisée dans le sens direct, elle laisse passer le courant.
Dans le sens inverse, elle le bloque largement — tant que certaines limites ne sont pas dépassées.
Cette propriété permet de : redresser, détecter, commuter, protéger et même : accorder un circuit.
Car au fil des années, la diode va donner naissance à une famille étonnamment nombreuse.
La diode de redressement
C’est probablement la plus familière.
Une référence comme la : 1N4007 se retrouve dans quantité d’alimentations.
Elle permet notamment de transformer une tension alternative en courant redressé.
Dans une alimentation classique, quatre diodes peuvent former : un pont de Graetz.
Le principe découvert avec les premiers cristaux trouve ainsi une application quotidienne.
La petite diode de signal
Pour travailler avec de faibles courants et commuter rapidement, nous rencontrons souvent : la 1N4148.
Elle est petite, rapide et extrêmement répandue.
Dans les montages radio et électroniques, elle peut servir à : commuter, écrêter, protéger ou : détecter certains signaux.
La diode au germanium
Les radioamateurs connaissent également des références comme : OA90, OA95 ou 1N34A.
Les diodes au germanium présentent notamment une tension directe plus faible que les diodes au silicium classiques.
Cela les rend intéressantes pour détecter : de très faibles signaux.
Elles sont les descendantes directes, en quelque sorte, de notre vieille galène.
La diode Schottky
Autre famille particulièrement utile en radio : la diode Schottky.
Elle ne repose pas sur une jonction P-N conventionnelle mais sur une jonction : métal–semi-conducteur.
Elle offre généralement : une faible tension directe et : une commutation rapide.
Voilà pourquoi nous la rencontrons dans : les alimentations à découpage, les détecteurs RF, les mélangeurs et de nombreux circuits fonctionnant à haute fréquence.
La Zener : bloquer… jusqu’au moment voulu
Certaines diodes sont spécialement conçues pour fonctionner dans une zone que nous évitons avec les diodes ordinaires : le claquage inverse.
La diode Zener permet ainsi de maintenir approximativement une tension déterminée.
Elle peut servir à : stabiliser une tension ou : protéger un circuit contre une surtension.
Encore une diode.
Mais un comportement complètement différent.
La LED : quand la diode se mit à briller
Faisons circuler un courant dans certaines jonctions réalisées avec des matériaux adaptés.
Une partie de l’énergie peut être libérée sous forme de : lumière.
La diode électroluminescente, ou : LED, transforme ainsi directement une partie de l’énergie électrique en lumière.
Rouge, verte, bleue, blanche, infrarouge…
La petite diode devenue voyant de façade finira par révolutionner : l’éclairage lui-même.
Quel retour amusant vers notre article précédent sur les lampes !
La photodiode : faisons l’inverse
Si une jonction peut produire de la lumière, certaines peuvent également être utilisées pour : détecter la lumière.
La photodiode transforme l’énergie lumineuse reçue en un signal électrique exploitable.
On la retrouve dans : les capteurs, les communications optiques, les télécommandes, les instruments de mesure et : les fibres optiques.
La varicap : une diode qui devient condensateur
Voici maintenant une diode particulièrement intéressante pour la radio.
Une jonction polarisée en inverse possède une capacité électrique.
Et cette capacité varie avec : la tension appliquée.
Nous obtenons une : diode varicap.
Au lieu de tourner mécaniquement les lames d’un condensateur variable, nous pouvons donc modifier électroniquement la capacité d’un circuit accordé.
Les varicaps ont été très utilisées pour : l’accord des récepteurs, les VCO, les PLL, les synthétiseurs de fréquence et de nombreux circuits RF.
La diode PIN : particulièrement utile en HF
La diode PIN possède une région intrinsèque placée entre les régions P et N.
En radiofréquence, son comportement permet notamment de l’utiliser comme : commutateur RF, atténuateur ou : élément de commande.
On la rencontre par exemple dans des systèmes de commutation émission/réception ou de sélection de filtres.
De la galène à la PIN, notre petite diode a donc parcouru : un sacré chemin !
Redressement, détection, lumière, accord ou commutation RF : une même diode, de multiples spécialisations.
Mais une diode ne suffit toujours pas
Nous retrouvons maintenant le même problème qu’à l’époque de Fleming.
Une diode sait parfaitement effectuer certaines fonctions.
Mais nous aimerions pouvoir : amplifier.
Avec les lampes, De Forest avait ajouté une troisième électrode.
Avec les semi-conducteurs, il faut trouver une autre solution.
Et cette recherche va nous conduire dans les laboratoires de la compagnie Bell.
1947 : Noël arrive un peu en avance
Aux Bell Telephone Laboratories, une équipe étudie depuis plusieurs années les propriétés du germanium et du silicium.
Parmi les chercheurs se trouvent : William Shockley, John Bardeen et : Walter Brattain.
L’objectif est notamment de réaliser un amplificateur à semi-conducteur capable de remplacer certaines fonctions des tubes.
En décembre 1947, Bardeen et Brattain obtiennent enfin un résultat décisif avec un petit morceau de : germanium.
Deux minuscules contacts en or sont placés très près l’un de l’autre sur sa surface.
Le montage est rudimentaire.
Mais il fait quelque chose d’extraordinaire : il amplifie.
Le premier transistor fonctionnel à contact ponctuel est né.
Un composant minuscule face à une énorme industrie
Comparons-le à une lampe.
Pas de filament.
Point de temps de chauffage.
Pas d’ampoule sous vide.
Aucune de fragile grille suspendue.
Et surtout : une consommation et un encombrement considérablement réduits.
Au début, évidemment, le transistor est loin d’être parfait.
Les tubes sont alors le résultat de plusieurs décennies de développement industriel.
Ils savent fonctionner à : forte puissance, haute tension et : haute fréquence.
Le petit transistor de germanium ne va donc pas faire disparaître les lampes du jour au lendemain.
Mais quelque chose d’irréversible vient de se produire.
Shockley et le transistor à jonction
William Shockley développe ensuite une structure différente : le transistor bipolaire à jonction.
Nous retrouvons nos matériaux : P et : N.
En les assemblant, deux grandes configurations apparaissent : NPN et : PNP.
Un transistor bipolaire comporte trois connexions : émetteur, base, collecteur.
Et l’idée générale rappelle celle de la triode : un petit signal permet de contrôler un courant beaucoup plus important.
La grille de la lampe a disparu.
La base du transistor prend le relais.
Du cristal de Braun au transistor : 75 ans d’évolution, de la galène à la jonction P-N.
Le transistor peut amplifier
Appliquons un petit signal à la base d’un transistor utilisé comme amplificateur.
Il contrôle une variation beaucoup plus importante du courant circulant entre collecteur et émetteur.
Nous pouvons ainsi amplifier : un signal audio, une fréquence intermédiaire, un signal HF ou quantité d’autres signaux.
Le transistor devient donc le successeur naturel de nombreuses lampes amplificatrices.
Mais il sait aussi commuter
Le transistor possède une autre qualité essentielle.
Nous pouvons l’utiliser comme : interrupteur électronique.
Deux états deviennent particulièrement intéressants : bloqué ou : passant.
Autrement dit : 0 ou 1.
Nous venons d’ouvrir une deuxième révolution.
Car des millions puis des milliards de transistors utilisés comme interrupteurs pourront former : nos ordinateurs.
1956 : le Nobel
En 1956, John Bardeen, Walter Brattain et William Shockley reçoivent ensemble le prix Nobel de physique pour leurs recherches sur les semi-conducteurs et la découverte de l’effet transistor.
Le petit morceau de germanium bricolé quelques années auparavant vient d’être reconnu comme : l’une des inventions majeures du XXᵉ siècle.
Le germanium commence à quitter le laboratoire
Au début des années 1950, les transistors commencent à trouver des applications commerciales.
Ils sont particulièrement séduisants pour les appareils fonctionnant sur piles.
Pourquoi ?
Parce qu’une lampe consomme une énergie importante rien que pour : chauffer sa cathode.
Le transistor n’en a pas besoin.
Appareils auditifs et équipements portatifs deviennent donc parmi les premiers candidats.
Puis arrive un objet emblématique.
La radio entre dans la poche
En 1954, le Regency TR-1 devient l’un des premiers récepteurs radio à transistors produits commercialement en grande série.
Il tient dans la main.
Plus besoin d’un lourd poste alimenté sur secteur.
Plus besoin d’attendre que les lampes chauffent.
On allume.
La radio fonctionne immédiatement.
Ce qui nous paraît banal aujourd’hui constitue alors une petite révolution sociale.
La radio peut accompagner son propriétaire : partout.
1954 : le silicium entre vraiment en scène
Les premiers transistors sont principalement réalisés en germanium.
Mais le silicium possède des propriétés très intéressantes, notamment pour travailler à température plus élevée et réduire certains courants de fuite.
En 1954, des transistors au silicium fonctionnels apparaissent aux Bell Labs, tandis que Texas Instruments met rapidement sur le marché les premiers modèles commerciaux.
Le silicium commence alors une ascension qui finira par lui donner une place dominante dans l’électronique.
Et ce n’est encore que le début.
Une autre famille : les transistors à effet de champ
Le transistor bipolaire n’est pas la seule manière de contrôler un courant dans un semi-conducteur.
Une autre idée consiste à utiliser : un champ électrique.
Nous arrivons aux : FET — Field Effect Transistors.
Au lieu des trois électrodes émetteur-base-collecteur, nous rencontrons notamment : source, grille, drain.
La grille contrôle le passage du courant entre source et drain.
Cette idée conduira à l’un des composants les plus importants de toute l’histoire de l’électronique.
Le MOSFET
À la fin des années 1950, Mohamed Atalla et Dawon Kahng, aux Bell Labs, réalisent le premier transistor MOS fonctionnel.
MOS signifie : Metal – Oxide – Semiconductor.
Le principe exploite notamment une couche extrêmement fine de dioxyde de silicium isolant la grille du semi-conducteur.
Cette structure possède une qualité extraordinaire : elle se prête remarquablement bien à la miniaturisation et à l’intégration.
Le MOSFET va devenir le transistor fondamental de la microélectronique moderne.
Et pour la radio ?
Les transistors à effet de champ deviennent également très intéressants pour les radiofréquences.
Selon les technologies, ils peuvent offrir : une impédance d’entrée élevée, un faible bruit, de bonnes performances HF et : une commande simple.
JFET, MOSFET puis diverses technologies spécialisées apparaissent dans : préamplificateurs, mélangeurs, oscillateurs, commutateurs et : amplificateurs RF.
Les watts arrivent à leur tour
Souvenez-vous de notre article sur les tubes.
Pour obtenir une forte puissance HF, nous utilisions : 807, 6146, 811A, 3-500Z…
Pendant longtemps, les lampes conservent un avantage important dans ce domaine.
Puis les transistors de puissance progressent.
Les équipements radioamateurs voient apparaître des étages finaux entièrement à semi-conducteurs.
Aujourd’hui, les technologies MOSFET et notamment : LDMOS permettent de réaliser des amplificateurs HF délivrant des puissances considérables.
Le cristal a fini par rejoindre la lampe jusque dans : l’amplificateur de puissance.
Mais pourquoi s’arrêter à un seul transistor ?
Nous savons maintenant fabriquer : un transistor.
Puis plusieurs.
Mais imaginez que nous devions construire un ordinateur avec des milliers de transistors individuels.
Chaque transistor doit être : fabriqué, testé, soudé et : relié aux autres.
Nous retrouvons un problème bien connu de l’époque des lampes : plus le circuit devient complexe, plus les connexions deviennent nombreuses.
Et chaque connexion peut devenir une source de panne.
La prochaine idée paraît folle : pourquoi ne pas fabriquer plusieurs composants directement dans le même morceau de semi-conducteur ?
1958 : Jack Kilby met plusieurs composants ensemble
Chez Texas Instruments, l’ingénieur Jack Kilby travaille pendant l’été 1958 sur une idée nouvelle.
Le 12 septembre 1958, il démontre un petit circuit réalisé à partir d’un morceau de germanium comportant plusieurs éléments.
Les connexions sont encore réalisées avec de minuscules fils.
Le montage est rudimentaire.
Mais le principe est démontré : plusieurs fonctions électroniques peuvent être fabriquées dans un même matériau semi-conducteur.
Le : circuit intégré vient de franchir une étape décisive.
Robert Noyce : rendre l’idée réellement industrialisable
Presque simultanément, chez Fairchild Semiconductor, Robert Noyce travaille sur une autre approche.
Il s’appuie notamment sur le procédé planaire développé par Jean Hoerni.
L’idée consiste à fabriquer les différents composants dans le silicium puis à réaliser leurs interconnexions métalliques : directement sur la surface.
Voilà la clé.
Plus besoin de relier manuellement chaque transistor avec une forêt de fils.
Le circuit intégré peut maintenant devenir : industrialisable.
Kilby et Noyce resteront tous deux associés à cette révolution.
Un transistor devient dix… puis un milliard
Au début, un circuit intégré contient seulement quelques composants.
Puis : des dizaines, des centaines, des milliers, des millions et finalement : des milliards de transistors.
Ce qui occupait autrefois une pièce entière peut tenir sur une puce de quelques centimètres carrés.
L’électronique vient de changer d’échelle.
Du transistor au microprocesseur
Lorsque suffisamment de transistors peuvent être intégrés dans une même puce, une autre idée devient possible : intégrer le processeur lui-même.
Au début des années 1970 apparaissent les premiers microprocesseurs commerciaux.
Puis leur puissance augmente rapidement.
Ils vont entrer dans : les ordinateurs, les voitures, les téléphones, les instruments de mesure et évidemment : les équipements radio.
Le radioamateur entre dans l’ère du silicium
Regardons un transceiver moderne.
Nous y trouvons des semi-conducteurs presque partout.
Des diodes pour : protéger et commuter.
Les varicaps pour : accorder.
Des PIN pour : commuter les signaux RF.
Des transistors pour : amplifier.
Les MOSFET pour : commander ou fournir de la puissance.
Des circuits intégrés pour : mélanger, synthétiser, convertir et traiter.
Des microprocesseurs pour : piloter l’ensemble.
Et des DSP pour : traiter numériquement le signal.
Notre shack est devenu : un univers de semi-conducteurs.
Puis la radio devint logicielle
Et l’histoire rejoint maintenant nos technologies modernes.
Un SDR convertit le signal analogique reçu par l’antenne en données numériques.
Des circuits intégrés effectuent les conversions.
Des processeurs ou FPGA réalisent certains traitements.
Puis le logiciel peut prendre le relais.
Filtrage.
Démodulation.
FFT.
Décodage.
Waterfall.
Ce que réalisaient autrefois : des bobines, des condensateurs, des lampes et : des transistors séparés peut maintenant être réalisé par une combinaison de : silicium et de logiciel.
C’est précisément ce qui nous conduira jusqu’à GNU Radio.
Du transistor de 1947 au SDR : près de 80 ans de miniaturisation et de traitement toujours plus numérique du signal radio.
Du vide au cristal
Regardons maintenant côte à côte deux composants.
À gauche : une triode.
Cathode.
Grille.
Anode.
Vide.
Filament chauffé.
À droite : un transistor.
Quelques millimètres de matériau semi-conducteur.
Ils semblent n’avoir presque rien en commun.
Et pourtant, nous leur demandons souvent exactement la même chose : qu’un petit signal en contrôle un plus grand.
La différence fondamentale est extraordinaire.
Dans la lampe, les électrons circulent : dans le vide.
Dans le transistor, nous contrôlons les porteurs de charge : à l’intérieur du solide.
L’électronique vient de changer de monde.
Quelques dates à retenir
1874 — Karl Ferdinand Braun observe le redressement dans certains cristaux.
Fin du XIXᵉ siècle — Jagadish Chandra Bose utilise des détecteurs à cristal dans ses expériences sur les ondes millimétriques.
Début du XXᵉ siècle — Les détecteurs à galène et « moustache de chat » se répandent dans les récepteurs radio.
Années 1930-1940 — La compréhension de la physique des semi-conducteurs et la purification du germanium et du silicium progressent considérablement.
Décembre 1947 — John Bardeen et Walter Brattain obtiennent le premier transistor fonctionnel à contact ponctuel aux Bell Labs.
1948-1950 — William Shockley développe le transistor bipolaire à jonction.
Années 1950 — Les transistors commencent à entrer dans les produits commerciaux.
1954 — Les transistors au silicium deviennent une réalité commerciale.
1956 — Bardeen, Brattain et Shockley reçoivent le prix Nobel de physique.
1958 — Jack Kilby démontre son circuit intégré.
1959 — Robert Noyce développe le concept pratique du circuit intégré monolithique utilisant le procédé planaire.
1959-1960 — Mohamed Atalla et Dawon Kahng réalisent le premier MOSFET fonctionnel.
Années 1970 — Le microprocesseur ouvre une nouvelle étape de l’intégration électronique.
Aujourd’hui — Des milliards de transistors peuvent être réunis dans une seule puce.
Quand le cristal remplaça le vide !
Revenons une dernière fois à notre détecteur à galène.
Un morceau de cristal.
Une fine pointe métallique.
Un casque.
Une antenne.
Pas de pile.
Et pourtant… une voix pouvait sortir du silence.
L’opérateur cherchant patiemment le bon point sur son morceau de galène ne pouvait probablement pas imaginer ce qui allait suivre.
Quelques décennies plus tard, un petit cristal de germanium allait : amplifier.
Puis le silicium allait permettre de fabriquer des transistors de plus en plus petits.
Nous en placerions plusieurs sur la même puce.
Puis des milliers.
Des millions.
Et finalement : des milliards.
La radio à galène allait devenir radio à transistors.
Le transistor allait devenir circuit intégré.
Le circuit intégré allait devenir microprocesseur.
Et le microprocesseur allait finir par traiter lui-même : nos signaux radio.
L’ampoule avait donné naissance à l’électronique.
Mais pour devenir vraiment petite, rapide, froide et omniprésente, elle devait encore quitter son enveloppe de verre.
Elle abandonna alors : le vide.
Et entra dans : le cristal.
Ce jour-là commença véritablement l’ère des semi-conducteurs.
Et le cristal remplaça le vide !
Pour aller plus loin
- Nobel Prize — The Transistor — Bardeen, Brattain, Shockley et le Nobel 1956.
- Computer History Museum — The Silicon Engine — excellente chronologie du transistor, du silicium, du MOSFET et du circuit intégré.
- Engineering and Technology History Wiki — Diode — histoire des premiers détecteurs à cristal et de la diode.
- Computer History Museum — Le circuit intégré — Kilby, Noyce et la naissance du circuit intégré.
- Computer History Museum — Le MOSFET — Atalla, Kahng et l’apparition du transistor MOS.
